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ROHM開(kāi)發出1mm見方超小(xiǎo)型車(chē)載MOSFET!
Time: 2020-10-14 Read: 1483

2020年9月29日

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全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發出符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準AEC-Q101※1的超小(xiǎo)型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸僅爲1.0mm×1.0mm。
新産品采用融入ROHM自有工(gōng)藝方法的Wettable Flank成型技術※2,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保證了封裝側面電(diàn)極部分(fēn)125μm的高度,屬于業内較高水平。經自動光學檢查(以下(xià)簡稱“AOI”※3),在追求品質的車(chē)載相關設備上安裝重要元器件後會實施該檢查)确認,實現了非常出色的焊接可靠性。另外(wài),通常小(xiǎo)型化和高散熱性之間存在着矛盾權衡關系,采用底部電(diàn)極結構的新封裝同時兼顧了小(xiǎo)型化與高散熱性,非常适用于電(diàn)路闆高密度化的車(chē)載ECU和高級駕駛輔助系統(ADAS)等相關設備。
新産品已于2020年9月開(kāi)始暫以月産10萬個的規模投入量産(樣品價格:100日元/個,不含稅)。

近年來,随着汽車(chē)電(diàn)子化進程的加速,一(yī)台汽車(chē)中(zhōng)使用的電(diàn)子元器件和半導體(tǐ)元器件數量呈增多趨勢。因此,需要在有限的空間裏安裝更多的元器件,安裝密度越來越高。例如,1個車(chē)載ECU中(zhōng)的半導體(tǐ)和積層陶瓷電(diàn)容器的平均搭載數量,預計到2025年将從2019年的186個增加至230個,增加近3成。爲了滿足安裝密度越來越高的車(chē)載應用的需求,市場對小(xiǎo)型化的要求也越來越高,因此能夠兼顧小(xiǎo)型和高散熱性的底部電(diàn)極封裝形式開(kāi)始受到青睐。
另一(yī)方面,對于車(chē)載元器件,爲确保可靠性,雖然會在安裝元器件後實施AOI,但由于底部電(diàn)極封裝隻在底部有電(diàn)極,故無法确認焊接狀态,進行車(chē)載标準的AOI有一(yī)定難度。

※截至2020年9月29日據ROHM調查

新産品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術,成功解決了這一(yī)課題,并實現了車(chē)載用超小(xiǎo)型MOSFET,得到了越來越多的汽車(chē)領域制造商(shāng)的青睐。未來,不僅在MOSFET領域,ROHM 也會在雙極晶體(tǐ)管和二極管領域的産品陣容進行不斷擴充。

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<特點>

1. 利用融入ROHM自有工(gōng)藝方法的Wettable Flank成型技術,保證封裝側面電(diàn)極部分(fēn)125μm的高度

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采用傳統技術的底部電(diàn)極封裝,因其無法在引線框架側面進行電(diàn)鍍加工(gōng),無法确保車(chē)載所需的焊料高度,難以實施AOI。新産品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技術, 實現達到引線框架上限的電(diàn)鍍加工(gōng),以1.0mm×1.0mm的尺寸,保證封裝側面電(diàn)極部分(fēn)高度達125μm。即使是底部電(diàn)極封裝,也可實現穩定的焊接圓角,通過元器件安裝後的AOI可切實确認焊接狀态。

2. 替換爲超小(xiǎo)型、高散熱性的MOSFET,可應對電(diàn)路闆的高密度化

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新産品尺寸僅爲1.0mm×1.0mm(DFN1010封裝),卻實現了與2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封裝)同等的性能,可削減安裝面積達85%左右。不僅如此,通過采用散熱性能優異的底部電(diàn)極,與SOT-23封裝相比,可将通常因體(tǐ)積縮小(xiǎo)而降低的散熱性提高65%。新産品兼顧了小(xiǎo)型化與高散熱性,非常适用于随功能增加,電(diàn)路闆日益高密度化的車(chē)載ECU和ADAS相關設備等應用。

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