開(kāi)始量産汽車(chē)用超小(xiǎo)超薄（0.5mm×1.0mm×0.2mm）的LW逆轉低ESL獨石陶瓷電(diàn)容器(1.0μF)-Shenzhen Favorite Technology Co.,Ltd.

News

Recommended products

Gan+Sic scheme

News

Current location：Home - News - Company news

開(kāi)始量産汽車(chē)用超小(xiǎo)超薄（0.5mm×1.0mm×0.2mm）的LW逆轉低ESL獨石陶瓷電(diàn)容器(1.0μF)
Time: 2020-11-12 Read: 1796

株式會社村(cūn)田制作所（以下(xià)簡稱本公司）研發了汽車(chē)ECU（電(diàn)子控制單元）内所用的處理器用超小(xiǎo)超薄(1)（0.5mm×1.0mm×0.2mm(2)）的LW逆轉低ESL獨石陶瓷電(diàn)容器(3)“LLC152D70G105ME01”（以下(xià)簡稱本産品），并于10月份開(kāi)始量産。

(1)　本公司調查。截至2020年11月4日。

(2)　T尺寸标準值：0.2 ± 0.02 mm（上限值0.22 mm）。

(3)　與普通獨石陶瓷電(diàn)容器不同，通過在芯片寬度窄的方向兩端形成外(wài)部電(diàn)極，縮短電(diàn)極間距離(lí)，擴展電(diàn)極寬度，實現了低ESL化的電(diàn)容器。

近年來随着ADAS（高級駕駛輔助系統）、自動駕駛的發展，一(yī)輛汽車(chē)上搭載的處理器的數量增多，爲使這些處理器正常工(gōng)作，搭載的獨石陶瓷電(diàn)容器的數量也在增加。在這樣的趨勢下(xià)，對于汽車(chē)用獨石陶瓷電(diàn)容器，爲了通過減少個數以期減少面積并提高可靠性，通過小(xiǎo)型大(dà)容量化及低ESL化(4)提高高頻(pín)特性的需求強烈。

本産品非常薄，能夠直接貼裝于處理器封裝背面的焊球之間，故而也能爲處理器封裝小(xiǎo)型化做貢獻。此外(wài)通過将電(diàn)容器貼裝于處理器封裝的背面，使電(diàn)容器與處理器Die(小(xiǎo)方塊)的距離(lí)比傳統的側面配置更近，能夠進一(yī)步低阻抗化(5)，從而能夠進行高頻(pín)特性更優異的電(diàn)路設計。

(4)　ESL（Equivalent Series Inductance）：等效串聯電(diàn)感。一(yī)般來說ESL是降低電(diàn)容器性能的原因之一(yī)，等效電(diàn)感值越低電(diàn)容器特性越好。

(5)　阻抗：指交流電(diàn)路中(zhōng)電(diàn)的感抗。處理器的電(diàn)源電(diàn)路一(yī)般使用去(qù)耦電(diàn)容來降低阻抗，抑制電(diàn)源電(diàn)壓變動使其穩定。

普通獨石陶瓷電(diàn)容器（左）與LW逆轉電(diàn)容器（右）的結構

貼裝于處理器封裝背面的示意圖

今後本公司将繼續研發适應市場需求的産品，爲汽車(chē)的高性能化高功能化做貢獻。

主要技術規格

産品名稱	LLC152D70G105ME01
尺寸（L×W×T）	0.5×1.0mm×0.2mm T尺寸标準值：0.2 ± 0.02 mm（上限值0.22 mm）
靜電(diàn)容量	1.0μF
靜電(diàn)容量容許誤差	±20%
工(gōng)作溫度範圍	-55°C～125°C
額定電(diàn)壓	4Vdc
其他	符合AEC-Q200(6)

(6)　Automobile Electronics Council（車(chē)載電(diàn)子元件理事會）制定的無源元件（電(diàn)容器、電(diàn)感器等）的行業标準。

Last article：村(cūn)田首款耐175℃高溫的車(chē)用片狀鐵氧體(tǐ)磁珠量産

Next article：電(diàn)力電(diàn)容器: TDK 推出面向直流鏈路應用的 ModCap™ 模塊化電(diàn)容器