ROHM開(kāi)發出内置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
Time: 2021-07-20 Read: 1586
全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發出650V耐壓、内置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”,且均符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準“AEC-Q101”。該産品适用于以電(diàn)氣化車(chē)輛爲首的電(diàn)動汽車(chē)(xEV)中(zhōng)的車(chē)載充電(diàn)器和DC/DC轉換器、以及太陽能發電(diàn)用的功率調節器等處理大(dà)功率的汽車(chē)電(diàn)子設備和工(gōng)業設備。
近年來,在全球“創建無碳社會”和“碳中(zhōng)和”等減少環境負荷的努力中(zhōng),電(diàn)動汽車(chē)(xEV)得以日益普及。爲了進一(yī)步提高系統的效率,對各種車(chē)載設備的逆變器和轉換器電(diàn)路中(zhōng)使用的功率半導體(tǐ)也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統的矽功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET等)都在經曆技術變革。
ROHM緻力于爲廣泛的應用提供有效的電(diàn)源解決方案,不僅專注于行業先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及産品開(kāi)發。此次,開(kāi)發了能夠爲普及中(zhōng)的車(chē)載、工(gōng)業設備提供更高性價比的Hybrid IGBT。
“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續流二極管)中(zhōng)采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大(dà)幅降低以往IGBT産品導通時的開(kāi)關損耗(以下(xià)稱“開(kāi)通損耗”*3)。在車(chē)載充電(diàn)器中(zhōng)采用本産品時,與以往IGBT産品相比,損耗可降低67%,與超級結MOSFET (SJ-MOSFET)相比,損耗可降低24%,有助于以更高的性價比進一(yī)步降低車(chē)載和工(gōng)業設備應用的功耗。
新産品已于2021年3月開(kāi)始出售樣品,預計将于2021年12月起暫以月産2萬個的規模投入量産。另外(wài),在ROHM官網上還免費(fèi)提供評估和導入本系列産品所需的豐富設計數據,其中(zhōng)包括含有驅動電(diàn)路設計方法的應用指南(nán)和SPICE模型等,以支持快速引入市場。
今後,ROHM将繼續開(kāi)發滿足各種需求的低損耗功率元器件,同時,提供設計工(gōng)具以及各種解決方案,通過助力應用系統的節能和小(xiǎo)型化爲減輕環境負荷貢獻力量。
<新産品特點>
●損耗比以往IGBT産品低67%,爲普及中(zhōng)的車(chē)載電(diàn)子設備和工(gōng)業設備提供更高性價比
“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT的反饋單元(續流二極管)中(zhōng)采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢複二極管(Si-FRD)的IGBT産品相比,成功地大(dà)幅降低了開(kāi)通損耗,在車(chē)載充電(diàn)器應用中(zhōng)損耗比以往IGBT産品低67%。與通常損耗小(xiǎo)于IGBT的SJ-MOSFET相比,損耗也可降低24%。在轉換效率方面,新産品可以在更寬的工(gōng)作頻(pín)率範圍确保97%以上的高效率,并且在100kHz的工(gōng)作頻(pín)率下(xià),效率可比IGBT高3%,有助于以更高的性價比進一(yī)步降低車(chē)載和工(gōng)業設備應用的功耗。
●符合AEC-Q101标準,可在惡劣環境下(xià)使用
新系列産品還符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準“AEC-Q101”,即使在車(chē)載和工(gōng)業設備等嚴苛環境下(xià)也可以安心使用。
<Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”産品陣容>
産品名稱
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耐壓 VCES(V)
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連接器電(diàn)流 IC@100℃ (A)
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開(kāi)通損耗 VCE(sat) Typ(V)
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續流 二極管
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符合AEC-Q101 标準
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封裝
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RGW60TS65CHR
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650
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30
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1.5
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SiC SBD
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YES
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TO-247N
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RGW80TS65CHR
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40
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RGW00TS65CHR
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50
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☆ RGW40NL65CHRB
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20
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TO-263L (LPDL)
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☆ RGW50NL65CHRB
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25
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☆ RGW60NL65CHRB
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30
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☆:開(kāi)發中(zhōng)
封裝采用JEDEC标準,()内表示ROHM封裝。
<應用示例>
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・車(chē)載充電(diàn)器
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・車(chē)載DC/DC轉換器
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・太陽能逆變器(功率調節器)
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・不間斷電(diàn)源裝置(UPS)