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ROHM小(xiǎo)型高效SBD“RBR/RBQ系列”産品陣容進一(yī)步壯大(dà)
時間: 2021-08-19 閱讀: 1526

全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發出小(xiǎo)型高效的肖特基勢壘二極管(以下(xià)簡稱SBD※1)“RBR系列”共12款産品,“RBQ系列”共12款産品,這些産品非常适用于車(chē)載設備、工(gōng)業設備和消費(fèi)電(diàn)子設備等各種電(diàn)路的整流和保護。至此,這兩個系列的産品陣容中(zhōng)已達178款産品。

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在各種應用産品中(zhōng),通常使用二極管來實現電(diàn)路整流和保護。随着各種應用産品對更低功耗的要求,比其他二極管效率更高的SBD正越來越多地被采用。另一(yī)方面,如果爲了追求效率而降低VF,則存在此消彼長關系的IR将會升高,熱失控的風險會随之增加,因此在設計電(diàn)路的過程中(zhōng),選擇SBD時需要很好地權衡VF和IR,這一(yī)點很重要。

在這種背景下(xià),ROHM追求低VF特性和低IR特性之間的平衡,并進一(yī)步加強了SBD小(xiǎo)型化産品陣容,以車(chē)載市場爲中(zhōng)心創造了非常優異的業績。此次,ROHM針對已經頗具量産成果的RBR和RBQ系列,面向大(dà)電(diàn)流、高電(diàn)壓和小(xiǎo)型化,進一(yī)步擴大(dà)了産品陣容,從而可以在更廣泛的應用中(zhōng)實現整流和保護工(gōng)作。

通過采用新工(gōng)藝,RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大(dà)提升,與ROHM以往産品相比,效率提高了25%。

不僅如此,RBR系列具有出色的低VF(正向電(diàn)壓)※2特性(該特性是提高效率的關鍵),并實現了低損耗。該系列産品非常适用于要求提高效率的應用,比如車(chē)載設備中(zhōng)的車(chē)載充電(diàn)器,以及消費(fèi)電(diàn)子設備中(zhōng)的筆記本電(diàn)腦等。此次又(yòu)新增了12款小(xiǎo)型封裝産品,還将有助于削減安裝面積(比以往産品少42%)。

而RBQ系列則具有出色的低IR(反向電(diàn)流)※3特性,可在高溫環境下(xià)穩定工(gōng)作,尤其是可降低SBD可能會發生(shēng)的熱失控※4風險。非常适用于需要在高溫環境中(zhōng)工(gōng)作的汽車(chē)動力系統和工(gōng)業設備的高電(diàn)壓電(diàn)源等應用。爲滿足更高耐壓的需求,此次又(yòu)新增了12款100V産品。此外(wài),RBR系列和RBQ系列均符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準AEC-Q101※5,可确保高可靠性。

這兩個系列的新産品從2021年6月開(kāi)始已經全部投入量産(樣品價格:50日元~/個,不含稅)。

今後,ROHM将繼續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體(tǐ)元器件的品質,并繼續加強具有ROHM特色的産品陣容,爲應用産品進一(yī)步實現小(xiǎo)型化和更低功耗貢獻力量。

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<特點>

通過采用新工(gōng)藝,RBR和RBQ系列與相同尺寸的ROHM以往産品相比,效率提高了25%,這兩個系列的産品分(fēn)别具有以下(xià)特點:

1. RBR系列

1-1.具有低VF特性,損耗更低

RBR系列不僅保持了與低VF特性存在此消彼長關系的低IR特性,與相同尺寸的ROHM以往産品相比,VF特性降低約25%,損耗更低。因此,不僅非常适用于要求更高效率的車(chē)載充電(diàn)器等車(chē)載設備,還非常适用于要求更節能的筆記本電(diàn)腦等消費(fèi)電(diàn)子設備。

此外(wài),與同等性能的産品相比,RBR系列還可實現芯片的小(xiǎo)型化,因此受芯片尺寸影響的封裝也可以采用更小(xiǎo)型的封裝形式。例如,如果以往産品尺寸爲3.5mm×1.6mm(PMDU封裝),則通過将其替換爲2.5mm×1.3mm尺寸(PMDE封裝)的産品,可使安裝面積減少約42%。

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1-2.新增小(xiǎo)型封裝,産品陣容更豐富

在RBR系列中(zhōng),此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封裝産品(消費(fèi)電(diàn)子和車(chē)載領域各6款)。至此,該系列已擁有共140款産品的豐富産品陣容(耐壓:30V、40V、60V;電(diàn)流:1A~40A),進一(yī)步擴大(dà)了在車(chē)載設備和消費(fèi)電(diàn)子設備領域的應用範圍。

RBR1VWM30A RBR2VWM30A RBR1VWM40A RBR2VWM40A RBR1VWM60A RBR2VWM60A 30V 40V 60V 30V 40V 60V 30V 40V 60V 60V 40V 30V 40V 60V 30V

2. RBQ系列

2-1. 具有低IR特性,可在高溫環境下(xià)穩定工(gōng)作

RBQ系列采用ROHM自有的勢壘形成技術,實現了非常适合開(kāi)關電(diàn)源的VF特性和IR特性之間的平衡。與ROHM以往産品相比,反向功率損耗降低了60%,可進一(yī)步降低高溫環境下(xià)熱失控的風險。因此,該系列産品非常适用于需要在高溫環境中(zhōng)工(gōng)作的汽車(chē)動力系統和工(gōng)業設備用的電(diàn)源等應用。

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2-2.新增100V産品,産品陣容更豐富

在RBQ系列中(zhōng),此次新增了12款100V産品(消費(fèi)電(diàn)子和車(chē)載領域各6款)。至此,包括共陰極型和單芯片型産品在内,該系列已擁有共38款産品的豐富産品陣容(耐壓:45V、65V、100V;電(diàn)流:10A~30A)。

45V 65V RBQ10BGE10A RBQ15BGE10A RBQ20BM10A 45V 65V RBQ10NS100A RBQ20NS100A RBQ30NS100A

<支持應用例>

■RBR系列

  • ・車(chē)載充電(diàn)器
  • ・LED前照燈
  • ・汽車(chē)配件
  • ・筆記本電(diàn)腦

■RBQ系列

  • ・工(gōng)業設備電(diàn)源
  • ・音響
  • ・筆記本電(diàn)腦
  • ・xEV
  • ・引擎ECU
  • ・AC/DC、DC/DC電(diàn)路的二次側整流

<術語解說>

*1) 肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode:SBD)
利用金屬與和半導體(tǐ)接觸形成肖特基結、從而獲得整流性能(二極管特性)的二極管。沒有少數載流子存儲效應,具有優異的高速特性。
*2) 正向電(diàn)壓: VF(Forward Voltage)
當電(diàn)流沿從+到-的方向流動時産生(shēng)的電(diàn)壓降。該值越低,效率越高。
*3) 反向電(diàn)流: IR(Reverse Current)
施加反向電(diàn)壓時産生(shēng)的反向電(diàn)流。該值越低,功耗(反向功耗)越小(xiǎo)。
*4) 熱失控
當向二極管施加反向電(diàn)壓時,内部的芯片發熱量超過了封裝的散熱量,導緻IR值增加,終造成損壞的現象稱爲“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發生(shēng)熱失控,因此在設計電(diàn)路時需要格外(wài)注意。
*5) 汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準AEC-Q101
AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大(dà)型汽車(chē)制造商(shāng)和大(dà)型電(diàn)子元器件制造商(shāng)聯手制定的針對汽車(chē)電(diàn)子元器件的可靠性标準。Q101是有關分(fēn)立半導體(tǐ)元器件(晶體(tǐ)管、二極管等)的标準。
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